Mit der Einführung neuer Halbleitermaterialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) stehen wir vor einer neuen Ära der MOSFET-Technologie. Anwendungen in Industrie, Traktion, Medizin und Luft- und Raumfahrt verlangen nach Komponenten, die höhere Leistungen auf kleinerem Raum bewältigen – und das bei gleichzeitig extremeren Temperaturen.
Damit diese neuen Halbleiter ihr volles Potenzial entfalten können, ist eine hochentwickelte MOSFET Kühlung unverzichtbar. Effiziente Kühlungslösungen sichern nicht nur die Leistungsfähigkeit, sondern auch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Systeme.
In diesen Artikel widmen wir uns den Herausforderungen neuer Halbleitermaterialien und unserer Lösung von Miba.
Im Vergleich zu klassischen Siliziumbauteilen ermöglichen die neuen SiC- und GaN-Halbleiter deutlich
Doch höhere Leistungsdichten und kleinere Baugrößen führen zu einem entscheidenden Engpass: der effizienten Wärmeabfuhr. Ohne eine angepasste MOSFET Kühlung können moderne Module ihre Vorteile nicht ausspielen – Überhitzung, Leistungsverluste und verkürzte Lebensdauer wären die Folge.
Gefragt sind deshalb neue Kühltechnologien, die:
Moderne SiC- (Siliziumkarbid) und GaN- (Galliumnitrid) Module bringen spezifische Vorteile – und damit neue Anforderungen an die MOSFET Kühlung:
SiC-Module bestehen aus Siliziumkarbid und sind für höchste Belastungen ausgelegt:
GaN-Module setzen auf Galliumnitrid als Material und bieten besondere Vorteile:
Anwendungsgebiete für SiC- und GaN-Module sind vielfältig und anspruchsvoll:
Kühlkonzepte für HEMT-basierte GaN-Module
Viele GaN-Leistungstransistoren basieren auf der HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor), die durch ihre extrem hohe Elektronenbeweglichkeit besonders schnelle und verlustarme Schaltprozesse ermöglicht. Diese HEMT-basierten Strukturen erzeugen jedoch auch hohe lokale Wärmelasten. Unsere Kühlkörperlösungen sind deshalb speziell darauf ausgelegt, auch bei HEMT-basierten GaN-Modulen eine sichere und effiziente Wärmeabfuhr zu gewährleisten.
Diese neuen Materialgenerationen machen deutlich: Ohne eine hocheffiziente, speziell angepasste MOSFET Kühlung können SiC- und GaN-Module ihre Vorteile nicht ausspielen. Innovative Kühlkonzepte sind der Schlüssel zur optimalen Nutzung dieser Technologien.
Bei Miba haben wir das frühzeitig erkannt und die Entwicklungen speziell für SiC- und GaN-Module erfolgreich abgeschlossen. Mit unseren vakuumgelöteten Kühlkörpern bieten wir eine Technologie, die den extremen Anforderungen der neuesten Generation von Hochleistungselektronik gewachsen ist.
Unsere Lösungen im Bereich MOSFET Kühlung garantieren eine zuverlässige Wärmeableitung auch bei höchsten Leistungsdichten und Temperaturen. Durch den Einsatz modernster Fertigungstechnologien und präziser Anpassung an spezifische Moduldesigns stellen wir sicher, dass SiC- und GaN-Module ihr volles Leistungspotenzial entfalten können.
Unsere Kühlkörper sind optimal ausgelegt für Module wie das Cree SiC Six-Pack Power Modul oder das Infineon CoolSiC™ XHP2 und bieten höchste Effizienz und Betriebssicherheit.
Unsere vakuumgelöteten Kühlkörper überzeugen durch zahlreiche Eigenschaften, die speziell auf die Anforderungen moderner MOSFET Kühlung ausgelegt sind:
Damit ermöglichen wir die sichere und effiziente Kühlung von modernsten SiC- und GaN-Modulen, die beispielsweise in der Elektromobilität, Windkraft oder anspruchsvollen Industrieanwendungen eingesetzt werden.
Die nächste Generation der Hochleistungselektronik ist da – mit SiC- und GaN-basierten Modulen, die höchste Effizienz und Leistungsdichte ermöglichen. Damit diese Technologien ihr volles Potenzial entfalten können, ist eine zuverlässige MOSFET Kühlung unerlässlich.
In diesem Artikel haben wir gezeigt, wie sich die Anforderungen an die Kühlung durch moderne Halbleitermaterialien verändert haben und warum herkömmliche Lösungen diesen Ansprüchen nicht mehr genügen.
Unsere vakuumgelöteten Kühlkörper bieten hier die passende Antwort: Sie sorgen für
– perfekt abgestimmt auf die Herausforderungen der neuesten SiC- und GaN-Module.
Mit unseren innovativen Kühltechnologien ist Miba bestens auf die Zukunft vorbereitet. Als starker Partner unterstützen wir unsere Kunden dabei, die nächste Stufe der Leistungselektronik sicher und effizient zu erreichen.
Sie möchten mehr über unsere Lösungen zur MOSFET-Kühlung erfahren oder haben konkrete Projekte im Bereich SiC und GaN?
Sprechen Sie uns an – wir freuen uns auf Ihre Herausforderungen!
